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描述德国TURCK光电式传感器，图尔克光电式传感器性能介绍

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在受到可见光照射后即产生光电效应，将光信号转换成电信号输出。

它除能测量光强之外，还能利用光线的透射、遮挡、反射、干涉等测量多种物理量，

如尺寸、位移、速度、温度等，因而是一种应用极广泛的重要敏感器件。

。传感器的结构简单，形式灵活多样，体积小。近年来，随着光电技术的发展，光电式传感器已成为系列产物其品种及产量日益增加。

用户可根据需要选用各种规格的产物它在机电控制、计算机、国防科技等方面。

它是光照射到某些物质上，使该物质的导电特性发生变化的一种物理现象，可分为外光电效应和内光电效应和光生伏应叁类。

外光电效应是指，在光线作用下物体内的电子逸出物体表面向外发射的物理现象。

光子是以量子化“粒子”的形式对可见光波段内电磁波的描述。

光子具有能量丑惫，丑为普朗克常数，惫为光频。光子通量则相应于光强。外光电效应由爱因斯坦光电效应方程描述：

Ek =hν -W

其中，丑表示普朗克常量，ν表示入射光的频率）。当光子能量等于或大于逸出功时才能产生外光电效应。

因此每一种物体都有一个对应于光电效应的光频阈值，称为红限频率。

对于红限频率以上的入射光，外生光电流与光强成正比。

光电传感器和系统使用可见红光或红外光检测不同类型的物体，

无需接触物体，也不受物体材质、质量和一致性的约束。

无论是标准型号还是可编程多功能型号、紧凑型设备还是连有外部放大器等外设的设备，

每个传感器都有专门针对不同应用而设计的特殊功能 - 

我们都会为您提供种类齐全的光电传感器解决方案。

能量对应于禁带宽度的光子的波长称光电导效应的临界波长。光生伏打效应是指光线作用能使半导体材料产生一定方向电动势的现象。

光生伏打效应又可分为势垒效应（结光电效应）和侧向光电效应。

势垒效应的机理是在金属和半导体的接触区(或在笔狈结)中，电子受光子的激发脱离势垒（或禁带）的束缚而产生电子空穴对，

在阻挡层内电场的作用下电子移向 N区外侧，空穴移向 P区外侧，形成光生电动势。

侧向光电效应是当光电器件敏感面受光照不均匀时，受光激发而产生的电子空穴对的浓度也不均匀，

电子向未被照射部分扩散，引起光照部分带正电、未被光照部分带负电的一种现象。

光子，光子能量；光电子外光电效应是指在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。

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工作电压:12…250 VDC 或 24…250 VAC

继电器输出

光电式传感器photoelectric transducer，基于光电效应的传感器，

内光电效应又分为光电导效应和光生伏应两类。光电导效应是指，

半导体材料在光照下禁带中的电子受到能量不于禁带宽度的光子的激发而跃迁到导带，从而增加电导率的现象。

光电测量时不与被测对象直接接触，光束的质量又近似为零，

在测量中不存在摩擦和对被测对象几乎不施加压力。

因此在许多应用场合，光电式传感器比其他传感器有明显的优越性。

其缺点是在某些应用方面，光学器件和电子器件较贵，并且对测量的环境条件要求较高。

光电式传感器是将光通量转换为电量的一种传感器，光电式传感器的基础是光电转换元件的光电效应。

激光传感器，直反式，可调区域背景抑制

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1/2”, 4针针头可旋转 90°

由于光电测量方法灵活多样，可测参数众多，具有非接触，，

高性和反应快等特点，使得光电传感器在检测和控制领域获得了广泛的应用。

光电式传感器有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光电二极管和光电叁极管、

光电池、半导体色敏传感器、光电闸流晶体管、热释电传感器、光电耦合器件等光电元件。

另外，光电式传感器还可分为模拟式光电式传感器和脉冲式光电式传感器两类。

光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等而且可测参数多

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